RU 2404481 C1, 20.11.2010. ПАРФЕНОВ О.Д. Технология микросхем. - М.: Высшая школа, 1986, с.90-127. SU 1491243 A1, 23.11.1990. SU 638169 A2, 15.08.1994. SU 602040 A2, 15.08.1994. US 2007/0259465 A1, 08.11.2007. JP 86030026 B, 10.07.1986.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) (RU)
Изобретатели:
Подвигалкин Виталий Яковлевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных микроблоков с вакуумными интегральными схемами (ИС), когда существует необходимость передачи электромагнитной энергии с одного слоя 3D схемы на другой и наоборот. Техническим результатом изобретения является получение межслойных переходов, уменьшение потерь электромагнитной энергии, распространение интегральности по третьей координате, послойно располагая активные топологические структуры. Сущность изобретения: в микропрофиле структуры вакуумной интегральной СВЧ-схемы, содержащей расположенные на расстоянии друг от друга пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, в котором выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией микрополость, с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и угла между ними и стенками - образующими микрополости, микрополость выполнена сквозной с углом в между ее стенками - образующими и нависающими кромками пленочных элементов рабочей топологии, пленочные элементы рабочей топологии имеют вертикальный изгиб между поверхностью диэлектрического носителя пленочных элементов рабочей топологии и гранью сквозной полости, выполненной воронкообразной, образуя скрученную стенку микропрофиля диэлектрического носителя на отрезке ребра микропрофиля, при этом угол между образующей и скрученной стенкой микропрофиля и нависающей над ней кромкой полосковой линии ' изменяется в пределах: 135°<'<150°. 2 н.п. ф-лы, 14 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента