|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННОГО ВАКУУМНОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2020639 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01J021/10 | | Аналоги изобретения: | Заявка Японии N 61-46931, кл. H 01J 1/30, 1986. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт цифрового телевидения Минского производственного объединения "Горизонт" | | Изобретатели: | Сычик В.А.
Бреднев А.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт цифрового телевидения Минского производственного объединения "Горизонт" |
Реферат | |
Использование: область производства микроэлектронных приборов. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и крутизны прибора, реализованного предлагаемым способом. Сущность изобретения: методами интегральной технологии формируют полупроводниковый катод гомоэпитаксией из газовой фазы в виде p - n-структуры, и гетероэпитаксией из газовой фазы в виде пленочной p-p+ -структуры, затем формируют ионно-плазменным распылением слои диэлектрика при температуре 250 - 350°С и слои металла для
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента