Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АНОДА РЕНТГЕНОВСКОЙ ТРУБКИ

Номер публикации патента: 2168235

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000108005/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J035/10    
Аналоги изобретения: EP 0874385 A1, 17.04.1998. RU 2029408 C1, 20.02.1995. DE 3521787 A1, 09.01.1986. 

Имя заявителя: Государственный научно-исследовательский институт Научно-производственного объединения "Луч" 
Изобретатели: Гонтарь А.С.
Власов Н.М.
Зазноба В.А.
Николаев Ю.В.
Савватимова И.Б. 
Патентообладатели: Государственный научно-исследовательский институт Научно-производственного объединения "Луч" 

Реферат


Изобретение относится к области рентгеновской техники и может быть использовано при изготовлении анодов рентгеновских трубок медицинского и технического назначения. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение долговечности за счет увеличения числа циклов до разрушения анода при одновременном уменьшении расхода дорогостоящего легирующего элемента, Re. Поставленная задача решается с помощью размещения в приповерхностном слое фокусной дорожки анода толщиной 1,5-4 мкм легирующего элемента, Re в количестве, обеспечивающем в приграничных участках зерен и межзеренных границах слоя анода толщиной 70 мкм среднюю концентрацию легирующего элемента 20-30 мас.% и последующего изотермического отжига анода в течение 9-85 ч при температуре ниже температуры рекристаллизации его материала. Внедрение легирующего элемента в приповерхностный слой осуществляется методом ионной или лазерной имплантации. 1 з.п. ф-лы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"