|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ ИМПЛАНТАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2110110 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J037/317 C23C014/48 | | Аналоги изобретения: | 1. Попов В.Ф., Горин Ю.П. Процессы и установки электронно-ионной технологии. - М.: Высшая школа, 1988, с.170 - 173. 2. Nuclear instruments and methods in physics research. B 21. - 1987, p.239 - 245. |
| Имя заявителя: | Институт ядерной физики СО РАН | | Изобретатели: | Волосов В.И.
Чуркин И.Н. | | Патентообладатели: | Институт ядерной физики СО РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов. Установка для имплантации обеспечивает повышение производительности, чистоты получаемых имплантируемых потоков, повышение площади имплантируемых поверхностей без применения сканирующих устройств и повышение универсальности. Установка характеризуется использованием источника быстрых тяжелых атомов на основе магнитной ловушки с вращающейся плазмой, системы транспортировки потоков быстрых тяжелых атомов веерного типа, представляющей собой выпускной раструб с азимутальным размером 360o, системы размещения облучаемых образцов в области выходящего потока. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента