|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2118012 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J037/317 C23C014/48 | | Аналоги изобретения: | Попов В.А., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. - М.: Высшая школа, 1988, с.189, 190. Симонов В.В. и др. Оборудование для ионной имплантации. - М.: Радио и связь, 1988, с.22. Кузьмин О.С. и др. Установка для ионной имплантации материалов. Известия вузов. Физика. Т.30, N 8, 1987, с.94-96. Справочник по расчетам некоторых характеристик радиационного повреждения в материалах типа Сталь 316SS и никель, облученных пучками ускоренных ионов с энергией 1-300 кэВ. Лаборатория математического моделирования ХФТИ АН УССР, 1987. |
| Имя заявителя: | Сибирский химический комбинат | | Изобретатели: | Муранов Е.Н.
Родовиков А.Я.
Филин И.А. | | Патентообладатели: | Сибирский химический комбинат |
Реферат | |
Изобретение относится к устройствам получения интенсивных ионных пучков и может быть использовано в установках имплантационной металлургии для увеличения глубины ионной имплантации (ИИ). Для увеличения глубины ИИ в облучаемую поверхность при стационарном пучке ионов выходы системы питания анода (А) и высоковольтного управляющего (У) выпрямителя снабжают интегрирующими блоками (Б), отношение постоянных времени которых находится в диапазоне от двух до трех, определяемое в зависимости от расстояния (Р) между источником ионов и высоковольтным электродом (ВЭ) и диаметра ВЭ из соотношения n = ta/tb = 3,16 (1 · L/d · D)0,83, где n - отношение постоянной времени интегрирующего Б системы питания А к постоянной времени интегрирующего Б высоковольтного управляющего выпрямителя; ta - постоянная времени интегрирующего Б системы питания А; tb - постоянная времени интегрирующего Б высоковольтного управляющего выпрямителя; 1 - Р от центра А до границы (Г) извлечения плазмы из источника ионов; L - Р от источника ионов до ВЭ; d - диаметр отверстия на Г извлечения плазмы из источника ионов; D - диаметр ВЭ. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента