RU 2132887 C1, 10.07.1999. RU 2281194 C1, 10.08.2006. RU 2277934 C1, 20.06.2006. WO 8404110 A1, 25.10.1984. EP 0132398 A1, 30.01.1985.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) (RU)
Изобретатели:
Казьмин Богдан Николаевич (RU) Трифанов Иван Васильевич (RU) Оборина Людмила Ивановна (RU) Сутягин Александр Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике ионно-лучевой обработки изделий. Технический результат - обеспечение возможности ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона и контроля качества обрабатываемых поверхностей. Устройство для ионно-лучевой обработки внутренних поверхностей волноводов миллиметрового диапазона, содержащее источник ионов имплантируемого металла, который герметично скреплен с торцом обрабатываемого объекта, внутрь которого помещен зонд, который с помощью скрещенных электрических полей, создаваемых электродами: фокусирующим, управляющими и тормозящим, соединенными с соответствующими блоками фокусирующего напряжения управляющего напряжения и плюсовой клеммой блока питания, направляет катионы имплантируемого металла на обрабатываемые поверхности объекта. Зонд движется вдоль объекта с помощью управляемого электропривода пошагового перемещения. Количество имплантируемых катионов контролируют путем измерения в блоке эквивалентного заряда катионов адгезируемых с обрабатываемой поверхностью и сравнивают в блоке с количеством, заданным электронной программой обработки блока. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента