ESROM H. KOGELSCHATS U. Modification of surfaces with new excimer UV sources, Thin Solid Films, 1992, V.218, p.231-246. RU 2271590 C2, 10.03.2006. RU 2291516 C2, 10.01.2007. US 6342761 A, 29.01.2002. DE 19613502 A1, 09.10.1997. DE 4238324 A1, 19.05.1994. EP 521553 A1, 04.01.1993. EP 547366 A1, 23.06.1993.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (RU)
Изобретатели:
Соснин Эдуард Анатольевич (RU) Тарасенко Виктор Федотович (RU) Шитц Дмитрий Владимирович (RU) Скакун Виктор Семенович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (RU)
Реферат
Группа изобретений относится к области электротехники, а именно к газоразрядным источникам излучения, в частности к лампам барьерного разряда. Техническим результатом является повышение надежности и эффективности источника излучения. Согласно первому варианту высоковольтный электрод (ВЭ) расположен во внутренней трубке колбы, а заземленный электрод (ЗЭ) выполнен перфорированным и размещен на внешней поверхности колбы и дополнительно содержит либо токопроводящий элемент, соединенный с ЗЭ и размещенный на минимальном расстоянии от ВЭ на внешней поверхности внутренней трубки колбы, либо диэлектрический элемент в форме цилиндра, размещенный внутри разрядного промежутка колбы с определенными размерами. Согласно второму варианту ВЭ расположен во внутренней трубке колбы, а ЗЭ выполнен перфорированным и размещен на внешней поверхности колбы, а во внутреннюю трубку колбы дополнительно введена металлическая трубка с проточной охлаждающей жидкостью, а пространство между ними заполнено пористым материалом, теплопроводность которого выше теплопроводности ВЭ. Согласно третьему варианту ВЭ расположен во внутренней трубке колбы, а ЗЭ выполнен в виде спирали и размещен на внешней поверхности колбы. Под спиральным электродом, изготовленным из проволоки, размещена металлическая полоска, соединяющая витки этого электрода. 3 н.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента