|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P - N - ПЕРЕХОДАМИ |  |
Номер публикации патента: 1215550 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 880167, кл. H 01L 21/18, 1980. Авторское свидетельство СССР N 1072666, кл. H 01L 21/18, 1982. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Шурчков И.О.
Манжа Н.М.
Чистяков Ю.Д.
Казуров Б.И.
Попов А.А.
Патюков |
Реферат | |
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой области с энергией ионов 80 - 110 кэВ дозой (3,1 - 9,5) · 1013 см2. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед подлегированием активной части базовой области проводят маскирование коллекторного контакта и контакта к пассивной части базовой области.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента