Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Номер публикации патента: 1371445

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 3953730 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/265    
Аналоги изобретения: IEEE, Solid-State Circuits, v.SC-15, n 5, 1980, p.801-809. Авторское свидетельство СССР N 1135378, кл. H 01L 21/265, 1985. 

Имя заявителя:  
Изобретатели: Манжа Н.М.
Патюков С.И.
Чистяков Ю.Д.
Манжа Л 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции. Целью изобретения является повышение плотности компоновки элементов интегральных схем за счет уменьшения межэлектродных расстояний и уменьшения числа фотолитографических операций за счет последовательного травления второго слоя поликристаллического кремния и диэлектрической пленки без применения фотолитографии. В способе изготовления интегральных транзисторов формируют в кремниевой подложке первого типа проводимости скрытый слой второго типа проводимости, наращивают эпитаксиальный слой второго типа проводимости и формируют комбинированную изоляцию. Затем охлаждают первый слой поликристаллического кремния, пленку нитрида кремния, прокисляют первый слой поликристаллического кремния и формируют пассивную базу, после чего формируют диэлектрическую пленку, окна под эмиттер, снова формируют диэлектрическую пленку и ионно-реактивным травлением удаляют ее с донных участков кремния, последующее осаждение второго слоя поликристаллического кремния производят до планарности всей рабочей поверхности полупроводниковой структуры, после чего травят второй слой поликристаллического кремния до выравнивания его поверхности с поверхностью первого слоя поликристаллического кремния в эмиттерном окне. Затем формируют области активной базы и эмиттера, стравливают диэлектрическую пленку с горизонтальной поверхности первого слоя поликристаллического кремния, формируют контакты. Данный способ позволяет реализовать транзисторную структуру с повышенной степенью интеграции с использованием одного фотошаблона за счет безмасочного селективного травления второго слоя поликристаллического кремния и окисла кремния. 5 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"