На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП - ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Номер публикации патента: 1421186

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4022889		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-транзисторов сверхбольших интегральных схем. Цель - увеличение плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшение количества фотолитографических операций за счет формирования электродов к области истока, стока и затворной области анизотропным травлением. В кремниевой подложке формируют p-области, противоканальные области и диэлектрической изоляции, осаждают первый слой поликремния, формируют первый слой оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, производят вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния и осаждение второго слоя поликремния. После осаждения второго слоя поликремния на него осаждают слой фосфорносиликатного стекла, оплавляют слой этого стекла, плазмохимически стравливают фосфорносиликатное стекло до планарности во вторых слоях поликремния, плазмохимически стравливают второй слой поликремния до планарности с первым слоем поликремния и плазмохимически стравливают первый и второй слои оксида кремния до планарности с вторым слоем поликремния, формируют области истока, стока, электроды к ним и металлизацию. 8 ил.

Вернуться к списку