|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА |  |
Номер публикации патента: 1454157 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/225 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1292622, кл. H 01L 21/22, 1986. |
| Имя заявителя: | Денисюк Владимир Антонович | | Изобретатели: | Денисюк Владимир Антонович | | Патентообладатели: | Денисюк Владимир Антонович |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром ≥ 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С. Цель - повышение уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975°С при производстве интегральных микросхем. Источник диффузии бора изготавливается следующим образом. Приготавливают диффузант путем смешивания порошков нитрида бора и кремния при следующем количественном соотношении, мас.ч: нитрид бора 85 - 95, порошок кремния 5 - 15. Диффузант наносят на кремниевую подложку и спекают источник при 975 - 1050°С в течение 30 - 60 мин. Пористость такого источника увеличивается на 50 - 60%.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента