|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 1517657 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/26 | | Аналоги изобретения: | Dunlap H.L., Marsh O.I. Diodes in Silicon Carbide by ion inplantation. Appl. Phys. Letters, 1969, v.15, N 10, p.311-313. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Ломакина Г.А.
Мохов Е.Н.
Семенов В.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света в голубой и зеленой областях спектра. Цель изобретения - повышение выхода годных структур за счет увеличения концентрации центров дефектной люминесценции. На подложку SiC наращивают слой SiC n-типа проводимости, на который в свою очередь, наращивают слой SiC p-типа проводимости. Затем проводят облучение реакторными нейтронами и отжиг.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента