|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 1565292 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | Афонцев С.А. и др. Полевые транзисторы с затвором Шоттки. Новые перспективные элементы СВЧ ИС. Микроэлектроника, 1975, т.4, в.5, с.387-408. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Артамонов М.М.
Ильичев Э.А.
Ахинько И.А.
Инкин В.Н.
Григорьев А.Т.
Гольдберг Е.Я.
Липшиц Т.Л.
Шелюх |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов, работающих на частотах в несколько десятков гигагерц. Целью изобретения является повышение воспроизводимости величины зазоров между активными областями. Цель достигается тем, что в качестве подножки берут арсенид галлия, а затвор выполняют из ниобия либо нитрида ниобия. Формируют маскирующее покрытие под изготовление областей истока и стока. Затем проводят термообработку в атмосфере сухого кислорода при 400-600oС. Отжигают подложку в среде водорода при 640-700oС. Формируют области истока и стока. 10 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента