|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 1574110 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4489480, кл. H 01 L 21/263, 25.12.84. Патент США N 4391651, кл. H 01 L 21/263, 5.07.83. Патент США N 4602965, кл. H 01 L 21/265, 1986. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Нечаев Г.В.
Москалев Г.Я.
Гузаева Т. |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации. Цель изобретения - повышение выхода годных транзисторов, создание резкого градиента на границе раздела n-слой - подложка и уменьшение влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой. Цель достигается путем проведения перед ионной имплантацией донорной примеси в область канала транзистора ионного внедрения атомов кислорода с энергией и дозой , обеспечивающими равенство концентраций донорной примеси и кислорода на глубине от поверхности,  - средний проецированный пробег и дисперсия пробега соответственно внедренных донорных ионов, а концентрация кислорода в максимуме кривой распределения должна превышать концентрацию примесных атомов, перераспределяющихся из подложки в n-слой. 2 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента