|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 1597018 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4354198, кл. 357-16, 1982. Becke H. et al. Gallium arsenide MOS-transistors. Solid State Electronics, 1965, v.8, p.813-823. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Олейник С.П.
Матына Л.И.
Ильичев Э.А.
Липшиц Т.Л.
Инкин В.Н.
Емельянов А.В.
Полторацкий Э.А.
Варламов И.В.
Пека |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия. Целью является повышение крутизны транзисторов. Цель достигается тем, что на подложку арсенида галлия, содержащую области стока и истока, осаждают диэлектрик методом пиролиза. В качестве газовой смеси используют диэтилдитиокарбамат цинка. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента