Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ ГЕТТЕРОМ

Номер публикации патента: 1797403

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4800783 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/265    
Аналоги изобретения: Немцев Г.З. и др. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов. - Обзор "Зарубежная электронная техника", 1981, вып.11 (245), с.43-45. 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт "Пульсар" 
Изобретатели: Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Алешин А.Н.
Мордкович В.Н.
Русак Т.Ф.
Казакевич  

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет повышения однородности распределения легирующей примеси в эпитаксиальном слое и уменьшения в нем плотности дефектов кристаллической решетки. Из слитка монокристаллического кремния изготавливают подложки с финишной химико-механической полировкой рабочих поверхностей на основе аэросила. В рабочую поверхность проводят имплантацию ионов углерода дозой 100-200 мкКл/см2 с энергией 260-350 кэВ. Затем проводят имплантацию ионов кислорода дозой 300-400 мкКл/см2 с энергией, обеспечивающей совпадение средних проецированных пробегов ионов кислорода и углерода. После имплантации проводят очистку пластин в перекисно-аммиачном растворе, промывку и сушку. Далее проводят газовое травление в среде HCl+H2 для удаления слоя толщиной (0,1-0,2)Rp, где Rp - средний проецированный пробег ионов. После этого хлоридным методом наращивают эпитаксиальную пленку толщиной 2,5-3 мкм. 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"