|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 1805793 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | J. Graul et all. High-performanse transistor with arsenic - implanted polisilicon emitters. IEEEJ Solid State Circuits, 11, 1976, p.491. P. Oshburn. Arsenic profiles in bipolar transistor with polisilicon emitters. Solid State Electron. v.24, N 5, 1981, p.475-476. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронной техники | | Изобретатели: | Боднарь Д.М.
Корольков С.Н.
Толубаев К. |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: способ создания биполярных интегральных структур включает формирование скрытых слоев в кремниевой подложке, нанесение эпитаксиального слоя, формирование в нем областей эмиттера, базы и коллектора, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии, нанесение слоя металла и его фотолитографическую обработку. Новым в способе является то, что перед осаждением слоя металла структуры подвергают плазмохимическому или реактивно-ионному травлению с полным удалением диэлектрического покрытия и 30 - 80 ни кремния из областей формирования контактных окон при селективном травлении кремния в областях p-типа к кремнию в областях n-типа в интервале 1,5:1 - 2,5 - 1. 2 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента