|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОЙ РАЗВОДКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 1814434 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | Barton D., Maze C. "A two-level metal CMOS Process for VLSI Circuits "First International VLSI multilevel International Conf. Proceeding of the henorleans. USA. 1984, p.p. 268-274. Zeng G.M., Chen M.L., Cochran W.Tand Other "A High Perfomance Submicron Twin Tub v Technology for Custom VLSI Application", Custom Int. Cireuits Conf. New York, USA, 1988, p.p. 2511-2514. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Бычок Е.А.
Макарова Л.С.
Нижникова Н.В.
Становский В.В.
Терехов |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении СБИС с двумя уровнями металлизации. В способе, включающем создание нижнего уровня разводки на основе алюминия на полупроводниковой пластине со сформированными активными областями, нанесение слоя межуровневого диэлектрика на основе двуокиси кремния, формирование на его поверхности маски для вскрытия контактных окон, плазменное травление диэлектрика, удаление маски, нанесение слоя металла и создание в нем верхнего уровня разводки, маску для вскрытия контактных окон создают в виде двухслойной системы нанесением ванадия толщиной 0,08 - 0,12 мкм и фоторезиста толщиной 1,5 - 2,2 мкм, а травление диэлектрика проводят в плазме С3F8 при давлении 60 - 180 Па, плотности мощности 0,1 - 0,3 Вт/с2 в течение времени, выбираемого из соотношения dmax/vтр ≅ t ≅ 1,75dmin/vтр, где dmax, dmin - максимальная и минимальная толщины межуровневого диэлектрика; vтр - скорость травления межуровневого диэлектрика.1 табл. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента