На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР СО СТУПЕНЧАТЫМ ПРОФИЛЕМ ОСТРОВКОВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 1814445

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4868794		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, технология изготовления БИС и СБИС. Сущность изобретения: при формировании полупроводниковых структур со ступенчатым профилем островков поликристаллического кремния травление фоторезистивной маски проводят селективно по отношению к слою поликристаллического кремния, а конфигурацию маски изменяют путем образования уступа относительно края островка поликристаллического кремния, причем ширина уступа, глубина несквозного анизотропного травления поликристаллического кремния, толщина слоя межкомпонентной разводки и толщина слоя поликристаллического кремния связаны соотношением: h_пкк.-h_разв.+hконт.разв. < x < h_раз.-hкрит. разв. , где h_пкк. - толщина слоя поликристаллического кремния; х - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островка поликристаллического кремния или глубина несквозного анизотропного травления слоя поликристаллического кремния; h_разв. - толщина слоя межкомпонентной разводки; hкрит. разв. - минимально допустимая толщина сплошного слоя межкомпонентной разводки. Способ позволяет увеличить воспроизводимость линейных размеров островков поликристаллического кремния и уменьшить вероятность обрывов слоя между компонентной разводки. 5 ил.

Вернуться к списку