|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1814468 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1454155, кл. H 01 L 21/205, 1988. Авторское свидетельство СССР N 1597019, кл. H 01 L 21/205, 1989. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Турцевич А.С.
Лесникова В.П.
Сарычев О.Э.
Макаревич И.И.
Кравцов |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно - к технологии осаждения пленок кремния из газовой фазы, и может быть использовано при создании обкладок накопительных конденсаторов и формировании рельефного рисунка в технологических слоях. Изобретение позволяет снизить трудоемкость и увеличить площадь поверхности пленки путем изменения условий зародышеобразования. Это достигается тем, что в известном способе осаждения пленок поликристаллического кремния подслой осаждают островковым толщиной 5-18 нм при 601-650oС, затем проводят отжиг подслоя в смеси гексафторида вольфрама с инертным газом при температуре осаждения подслоя при давлении 2,66-13,3 Па в течение 0,25-1 мин при соотношении гексафторид вольфрама-инертный газ 1: 20-1:100. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента