|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ РЕЗИСТОРОМ |  |
Номер публикации патента: 1819070 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4256515, кл. H 01 L 21/265, 1981. Авторское свидетельство СССР N 1195862, кл. H 01 L 21/82, 1984. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Гайдук С.И.
Балабуцкий С.В.
Сасновский В.А.
Чаусов В |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевой подложке формируют боковую изоляцию биполярных транзисторов путем селективного окисления эпитаксиального слоя. После создания тонкого слоя диэлектрика на поверхности изолированных областей формируют область поликремниевого резистора требуемой конфигурации, пассивирующий слой над областью транзистора и резистора и контактные окна к областям транзистора и резистору. Через соответствующую маску легируют область базы транзистора и контактные области поликремниевого резистора. Затем формируют маску с окнами над областью эмиттера и резистора за исключением контактных окон к нему и последовательно легируют примесь p-типа сквозь пассивирующий слой для получения требуемой проводимости высокоомной части поликремниевого резистора, а затем примесь n-типа, которая не проникает сквозь пассивирующий слой для формирования эмиттера. После удаления маски проводят отжиг внедренных примесей. 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента