Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ

Номер публикации патента: 1820790

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4940093 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/34    
Аналоги изобретения: Клокова Н.П. Тензорезисторы, М.: Машиностроение, 1990, с.224. 

Имя заявителя: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе 
Изобретатели: Каминский В.В.
Сосова Г.А.
Володин Н. 

Реферат


Использование: технология производства компонентов электронной техники, в частности технология производства полупроводниковых тензорезисторов, а также при изготовлении датчиков механических величин. Сущность: немеханическим путем удаляют краевые участки тензочувствительного слоя моносульфида самария, в частности путем обработки в травителе следующего состава: 1 об. ч. концентрированной соляной кислоты, 650 об. ч. 5%-ного водного раствора тиомочевины. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"