|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ |  |
Номер публикации патента: 1823709 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир. 1986, с. 147-150. Патент США N 4577396, кл. H 01 L 21/28, 1985. |
| Имя заявителя: | Московский институт электронной техники | | Изобретатели: | Астахова Н.А.
Стрельцов М.В.
Бондарь В. |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании быстродействующих интегральных схем. Сущность изобретения: способ включает нанесение металлической пленки на полупроводник, перед которым проводят очистку поверхности полупроводника плазмой тлеющего разряда при плотности тока разряда плазмы 0,08 - 0,12 мА/см2 в течение 2 - 6 мин, а после нанесения пленку облучают плазмой тлеющего разряда на постоянном токе в инертной среде при тех же режимах. 1 табл., 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента