На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Номер публикации патента: 1823715

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4848243		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: при изготовлении полевых транзисторов. Сущность: способ заключается в том, что на пластину арсенида галлия с активным слоем после создания фоторезистивной маски, формирования меза-структур анодным окислением, проведения анодного окисления меза-структур, удаления фоторезиста наносят слой SiO₂, создают фоторезистивную маску с рисунком затворного слоя металлизации, из окон которого удаляют SiO₂, удаляют фоторезист, проводят анодное окисление канала по маске SiO₂, удаляют SiO₂ плазмохимическим травлением, проводят электрохимическое осаждение Au-Ge омических контактов по маске анодного окисла, удаляют анодный окисел. После вплавления омических контактов наносят слой SiO₂, создают фоторезистивную маску с рисунком затворного слоя металлизации, удаляют SiO₂ в окнах маски плазмохимическим травлением, удаляют фоторезист, создают затвор электрохимическим осаждением последовательно Re-W и Au, затем проводят электрохимическое осаждение Au-Ge омических контактов в области канала. 6 ил.

Вернуться к списку