|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МЕЖЭЛЕМЕНТНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1825236 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4556897, кл. H 01 L 23/50, 1985. M.L. Green. Chemical Vopar Deposition of Metals for VLSl Applications, Deposit and Gromtg Limis=Microelectron, Top Conf. Calif. N.Y. American lnstituted Physics Gonference Proceedigs, N 167, 1988, N 4, p. 173 - 174. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Турцевич А.С.
Довнар Н.А.
Родин Г.Ф.
Козачонок Г.М.
Малышев |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества межэлементных соединений за счет улучшения контакта между уровнями, снижение вероятности коротких замыканий. Межэлементные соединения интегральных схем включают контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в кремниевой подложке, нижний уровень межэлементных соединений, слой межуровневого диэлектрика и верхний уровень межэлементных соединений. Уровни межэлементных соединений выполнены из алюминия или его сплавов. На поверхности нижнего уровня межэлементных соединений сформирован слой проводящего материала из ряда: нитрид тантала, нитрид титана, нитрид гафния, толщиной 0,05 - 0,15 мкм или из ряда: окись рутения, окись иридия, окись осмия, толщиной 0,07 - 0,15 мкм. В предложенных межэлементных соединениях повышена электромиграционная стойкость. 1 ил., 11 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента