На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 1827143

Вид документа:  A3  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4927447		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, изготовление мощных кремниевых транзисторов с пониженной степенью легирования эмиттерной области. Сущность изобретения: для изготовления мощного кремниевого транзистора с пониженной степенью легирования Ns<<3<195>1020 ат/см3 эмиттерной области формируют в течение 1-40 ч при Т = 1100-1260<198>С в высокоомном слое исходной кремниевой n-n+-структуры относительно глубокую базовую область глубиной 5-45 мкм, проводят предварительную диффузию эмиттерной примеси при 800- 1100<198>С в течение 5-100 мин и дальнейшую совместную разгонку указанных базовой и эмиттерной примесей при 1100-1250<198>С в течение 1-20 ч, в результате которой получают транзисторную n+ p-n-n+-структуру изготавливаемого мощного кремниевого транзистора. Новым в способе является то, что глубину и степень легирования указанной относительно глубокой базовой области получают равной требуемой ширине и степени легирования активной базы изготавливаемого транзистора, а перед и/или во время указанного процесса совместной разгонки базовой и змиттерной примесей производят в течение 0,1-20 ч при 1100-1250<198>С по крайней мере одно дополнительное легирование приповерхностного слоя эмиттерной области указанного мощного транзистора одной или несколькими примесями противоположного типа проводимости таким образом, что скорость диффузии эмиттерной примеси в объеме базовой области равна скорости диффузии базовой примеси в объем высокоомного слоя кремниевой n-n+-структуры. 12 ил.

Вернуться к списку