На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С ВЫСОКИМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПРОБОЯ

Номер публикации патента: 1828721

Вид документа:  A3  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4933805		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектронике, изготовление полупроводниковых приборов с высоким напряжением пробоя. Цель изобретения - экономия полупроводниковых материалов и повышение процента выхода годных в процессе производства полупроводниковых приборов с высоким напряжением пробоя путем уменьшения ширины и степени легирования периферийной области базы полупроводникового прибора без уменьшения ее радиуса кривизны и степени легирования центральной области базы. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя заключается в последовательном формировании на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его переход "коллектор-база", намного превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке изолирующего слоя, вскрытии в указанном изолирующем слое окна под диффузию примесей, легирующих базовую область полупроводникового прибора, по крайней мере одной из которых является указанная примесь, избирательной загонке и диффузии указанных примесей в полупроводниковую подложку через указанный аморфный или поликристаллический слой с формированием базовой области глубиной Y± &Dgr;Y. Перед нанесением указанного изолирующего слоя в указанном аморфном или поликристаллическом слое вытравливают по крайней мере одну кольцевую область шириной l, в которой толщина аморфного или поликристаллического слоя h находится в пределах 0<$E<<=>h<

Вернуться к списку