|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ p+ - p - - СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 1829757 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/225 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4568960, кл. H 01L 21/477, опубл. 1986. Кожухов А.В. и др. Испарение и сегрегация галлия при нагреве легированного кремния в вакууме. - Поверхность. Физика, химия, механика, 1989, N 3, с.160-61. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Аветисян Г.Х.
Енишерлова К.Л.
Клемин С.Н.
Орлов П.Б.
Шмелева |
Реферат | |
Изобретение служит для изготовления фотоприемников. Сущность: исходную кремниевую подложку p+-типа проводимости, легированную галлием, отжигают для получения на поверхности слоя р-типа. В случае проведения отжига в нейтральной или окислительной газовой среде при 1150 - 1230oС резкость p+-р-переходов выше, чем в случае отжига в вакууме при тех же температурах. Экспериментальным путем найдены режимы получения р+-р-переходов с различной протяженностью р-слоев, имеющих оптимальные характеристики для последующего создания на их основе фотоприемных структур. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента