|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП - ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 1829782 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4486943, кл. H 01 L 21/265, 1984. Заявка Великобритании N 2185350, кл. H 01 L 29/78, 1987. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Красницкий В.Я.
Довнар Н.А.
Смаль И. |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, изготовление МДП-интегральных схем высокой степени интеграции. Сущность изобретения: повышение выхода годных и быстродействия МДП-транзистора за счет уменьшения емкости достигается тем, что на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости формируют затвор с вертикальными стенками, на поверхность со ступенчатым рельефом наносят слой нелегированной двуокиси кремния, анизотропным плазменным травлением нанесенного слоя создают пристеночные диэлектрические области, ионной имплантацией в пластину по обе стороны от пристеночных областей последовательно вводят медленно диффундирующую, затем быстро диффундирующую примесь второго типа проводимости, отжигом внедренной примеси одновременно создают сильнолегированные и слаболегированные исток-стоковые области. 2 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента