|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБКЛАДКИ НАКОПИТЕЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРА ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 1829792 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | Черняев В.Н. Технология производства интегральных схем и микропроцессоров. -М.: Радио и связь, 1987, с. 390. K.H. Kusters et al. Stackeob Capacitor in Trench Cell for 16 M - DKAM. ESSDERC' 89. 19 th Eur. Solid State Device Res. Conf. Berlin 11-14, Sept. 1989 Berlinete, p. 907-910. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Красницкий В.Я.
Турцевич А.С.
Довнар Н.А.
Смаль И.В.
Наливайко О.Ю.
Родин |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, изготовление полупроводниковых схем памяти на МДП-транзисторах. Цель - повышение качества конденсатора за счет увеличения эффективной площади поверхности обкладки без увеличения ее размеров в плане. Сущность изобретения: при изготовлении обкладки накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем на поверхность полупроводниковой пластины со сформированным на ней углублением с вертикальными стенками наносят проводящий слой, формируют в нанесенном слое рисунок обкладки конденсатора, наносят разделительный диэлектрический слой, безмасочным анизотропным плазменным травлением удаляют участки этого слоя с горизонтальных поверхностей пластины, затем на полученную профилированную поверхность пластины наносят дополнительный проводящий слой, безмасочным анизотропным плазменным травлением удаляют участки этого слоя с горизонтальных поверхностей пластин, затем избирательным травлением удаляют оставшиеся пристеночные участки разделительного диэлектрического слоя. 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента