На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов

Номер публикации патента: 2001467

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5028382		Получить полное описание патента

Реферат

Использование в микроэлектронике в частности для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы Сущность изобретения на поверхность полупроводниковой пластины со сформированными структурами наносят последовательно слой небпр $%; породного металла VI - VIII группы толщиной 02 - 25 мкм и слой металла III - IV группы толщиной 10 - 300 мкм и после разделения пластины механическим путем на кристаллы и обработки боковой поверхности кристалла в травителе удаляют слой верхнего металла химическим путе

Вернуться к списку