На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

Способ изготовления полупроводниковых кристаллов

Номер публикации патента: 2001468

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5028383		Получить полное описание патента

Реферат

ФАКСИМИЛЬНОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕБиблиография:Страница 1Реферат:Страница 1Формула:Страница 2 Страница 3 Страница 4Описание:Страница 4MM4A - Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силеБИ: 02/2002Извещение опубликовано: 20.

Вернуться к списку