|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА С ДИФФУЗИОННЫМ P - N - ПЕРЕХОДОМ |  |
Номер публикации патента: 2008746 |  |
| Имя заявителя: | Производственное объединение "Фотон" | | Изобретатели: | Альтман И.Р.
Шмиткин О.М.
Лившиц Д.Л.
Кандов А.М.
Каплан А.А. | | Патентообладатели: | Производственное объединение "Фотон" |
Реферат | |
Сущность изобретения: с кристалла в виде шестигранника снимают фаску в виде усеченного конуса. Величину бокового скоса контролируют по диаметру верхней площадки. 1 ил. Изобретение может быть использовано при изготовлении высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров с управляемым лавинообразованием поверхности.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента