На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРИГОДНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | |
Номер публикации патента: 2009573 | |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | Изобретатели: | Зайцев Н.А. Красников Г.Я. Лискин Л.А. Медведев А.И. Яницкий В.К. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии производства интегральных микросхем и позволяет производить контроль качества исходных кремниевых пластин на начальном этапе. Целью изобретения является осуществление возможности прогнозирования количества годных приборов заданного типа. Предлагаемый способ контроля пригодности монокристаллических кремниевых пластин включает в себя облучение пластин ИК-светом в диапазоне 0,5 - 5,0 мкм, определение коэффициента пропускания и прогнозирование количества годных приб
|