На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ

Номер публикации патента: 2009576

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  4934813/25		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: способ изготовления структур кремний на диэлектрике, используемый в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: в качестве связующего материала между поверхностью полупроводниковой пластины и несущей диэлектрической подложки используют слой гидролизнополиконденсированной двуокиси кремния, для этого на поверхность полупроводниковой пластины, в которой сформированы элементы схемы, наносят пленкообразующий раствор кремнийорганического соединени

Вернуться к списку