|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2012095 |  |
| Имя заявителя: | Коломицкий Николай Григорьевич,Астапов Борис Александрович | | Изобретатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович | | Патентообладатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович |
Реферат | |
Сущность изобретения: на полупроводниковую пластину со сформированными структурами полупроводниковых приборов наносят слой металла омического контакта, а сверху слой металлического защитного покрытия. Механически разделяют полупроводниковую пластину на кристаллы. Защищают образовавшиеся боковые поверхности полимерным компаундом, химически удаляют металл защитного покрытия.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента