|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ВЧ N - P - N - ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2025824 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | 1. Mogro - Campero A., Love R.P. Chang M.F., Dyer R.F. TEEE, Elletron Device Zetters. 1985, V N 5, p.224-226. |
| Имя заявителя: | Александровский завод им.50-летия СССР | | Изобретатели: | Царева Л.Г. | | Патентообладатели: | Царева Людмила Георгиевна |
Реферат | |
Использование: технология микроэлектронных устройств. Сущность: в процессе изготовления биполярных ВЧ n-p-n-транзисторов после создания активных областей и формирования омических контактов проводят имплантацию ионов фосфора с энергией 100 ± 20 кэВ постимлантационный обжиг и пассивацию структур. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента