|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2029413 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4336549, кл. H 01l 21/48, 1982. |
| Имя заявителя: | Самсоненко Б.Н. | | Изобретатели: | Самсоненко Б.Н.
Нарнов Б.А.
Иванов Л.А. | | Патентообладатели: | Самсоненко Борис Николаевич |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для производства транзисторов Шоттки на меза-структурах. Сущность изобретения: способ включает изготовление полупроводниковых приборов на полуизолирующей пласлине арсенида галлия с активной структурой путем формирования меза-структуры, формирования маски двуокиси кремния с окном над активной областью прибора, формирования защитной маски анодным окислением, удаление маски двуокиси кремния плазмохимическим травлением, отжига защитной маски анодного окисла, формирования контакта к обратной стороне пластины и осаждения омических контактов из электролита при дополнительном освещении пластины. При этом достигается улучшение качества омических контактов. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента