|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КМОП БИС |  |
Номер публикации патента: 2029414 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/82 | | Аналоги изобретения: | 1. Курносов А.И. и др. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986, с.358. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронной техники | | Изобретатели: | Мещеряков Н.Я.
Цыбин С.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: на кремниевой пластине формируют области карманов n-типа, полевой и затворный слои оксидов кремния и наносят слой поликремния. Легируют поликремний фосфором. Формируют маску фоторезиста с конфигурацией затворов n-канальных транзисторов и части поликремниевых межсоединений. Плазмохимически травят поликремний. Легируют его мышьяком для создания активных диффузионных областей n-типа. Удаляют маску фоторезиста, активируют примесь мышьяка. Формируют маску фоторезиста с конфигурацией затворов p-канальных транзисторов и части межсоединений. Плазмохимически травят слой поликремния, легируют диффузионные области p-типа бором. Удаляют маску фоторезиста, окисляют поверхность. Наносят слой фосфорсиликатного стекла, оплавляют его. Вскрывают контактные окна, формируют металлические межсоединения, пассивируют кристаллы. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента