|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AIII и BV МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ |  |
Номер публикации патента: 2031477 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1369596, кл. H 01L 21/208, 1985. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Арсентьев И.Н.
Вавилова Л.С. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: в процессах изготовления приборов опто- или микроэлектроники, лазаров, фотоприемников, светодиодов, солнечных элементов. Сущность изобретения: в качестве легирующей примеси используют соединения типа AIIBV@2 или AI@3IBV@2 для выращивания слоя p-типа проводимости и AI@2IIBV@3I для выращивания слоя n-типа проводимости, при этом состав жидкой фазы формируют с учетом веса легирующих элементов, а также элементов AIII и BV, входящих в указанные выше соединения. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента