|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2031479 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/288 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4336549, кл. H 01L 21/48, опублик.1982. |
| Имя заявителя: | Самсоненко Б.Н. | | Изобретатели: | Самсоненко Б.Н.
Нарнов Б.А. | | Патентообладатели: | Самсоненко Борис Николаевич |
Реферат | |
Использование: в производстве полупроводниковых приборов, в частности при изготовлении полевых транзисторов Шоттки на меза-стуктурах. Сущность изобретения: способ предусматривает формирование электрохимическим осаждением по одной фоторезистивной маске Au - Ge-контактов на активных областях при интенсивном освещении. В темноте осаждают золото на мезе. Электрохимическое соединение контактов на активных областях и мезе осуществляют при формировании разводки. 8 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента