На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, СОДЕРЖАЩИХ СЛОИ ФОСФИДА ИНДИЯ И АРСЕНИДА - ФОСФИДА ИНДИЯ IN JnAs | |
Номер публикации патента: 2032960 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/205 | Аналоги изобретения: | 1. A.Seki, F.Konashi. Epitaxial growth of In P on Si superlattices. J. Crystal Crowth, 1988, v.99, 1 - 4, p. 527-531. |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | Изобретатели: | Лукаш В.С. Тарзимянов А.Н. Зоркальцева Н.Н. Сапунова Г.В. Бакин Н.Н. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых эпитаксиальных структур фосфида индия со "стоп-слоями" осаждением из газовой фазы для изготовления диодов Ганна, полевых транзисторов, смесительных диодов. Способ позволяет упростить технологию выращивания структур со "стоп-слоями". Перед наращиванием рабочей структуры дополнительно вводят в парогазовую смесь поток треххлористого мышьяка с молярной долей 1,910-3-5,310-3 и выращивают "стоп-слой" в течение 4 - 10 мин.
|