|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПРЯМОГО СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2033657 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/00 H01L021/68 | | Аналоги изобретения: | Stengl R., Ahn K.J. and gosele. Bubblefree silicon wafer bonding ma nonclean - room environment. Japanese J. of Applied Physics, 1988. 27. N 12, рр.2364-2366. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Бачурин В.В.
Фейгин Х.И.
Ушаков М.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: устройство для низкотемпературного прямого соединения полупроводниковых пластин включает основание, центрифугу с каруселью для размещения узлов крепления пластин, крышку для создания замкнутого пространства над соединяемыми пластинами, узел нагрева пластин.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента