|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА КРЕМНИИ |  |
Номер публикации патента: 2034364 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/28 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 59-55016, кл. H 01L 21/285, 1984. |
| Имя заявителя: | Московский институт электронной техники | | Изобретатели: | Громов Д.Г.
Мочалов А.И.
Пугачевич В.П.
Хрусталев В.А.
Азаров А.А. | | Патентообладатели: | Московский институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления термостабильных слабопроникающих контактов кремниевых интегральных микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что на кремниевую подложку, маскированную диэлектриком со вскрытыми в нем контактными окнами к активным областям, наносятся пленка сплава, содержащего 20 - 50 ат.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента