|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2035085 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/78 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 3325702, кл. 317-234, 1967. |
| Имя заявителя: | Коломицкий Николай Григорьевич,Астапов Борис Александрович | | Изобретатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович | | Патентообладатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых кристаллов. Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковых пластин наносят слой неблагородного металла VI - VIII группы или их оплавы толщиной 0,2 - 2,5 мкм, поверх его наносят слой защитного металла толщиной 0,5 - 30,0 мкм и после механического разделения пластины на кристаллы и промывки в травителе проводят защиту боковой поверхности кристаллов компаундом и химическую обработку металла верхнего слоя.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента