|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2035086 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/78 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 3878008, кл. 156-П, 1975. |
| Имя заявителя: | Коломицкий Николай Григорьевич,Астапов Борис Александрович | | Изобретатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович | | Патентообладатели: | Коломицкий Николай Григорьевич
Астапов Борис Александрович |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых кристаллов. Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковых пластин наносят слой неблагородного металла VI - VIII группы толщиной 0,2 - 0,5 мкм, формируют с помощью фоторезистора необходимый рисунок. На незащищенные поверхности наносят второй слой металла защитного покрытия толщиной 0,5 - 30,0 мкм, химической резкой разделяют пластины на кристаллы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента