На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ p | |
Номер публикации патента: 2045107 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/265 | Аналоги изобретения: | 1. Mark E. Ireiner, Charles I.Martin InAs - photovoltaic detectors - echivements in production. Proc. SPIE, 1986, p.686. |
Имя заявителя: | Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион" | Изобретатели: | Астахов В.П. Данилов Ю.А. Давыдов В.Н. Лесников В.П. Дудкин В.Ф. Сидорова Г.Ю. Таубкин И.И. Трохин А.С. | Патентообладатели: | Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион" |
Реферат | |
Использование: в способах, предназначенных для изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов, а также приборов на кристаллах арсенида индия. Сущность изобретения: способ изготовления планарных p+- n -переходов на кристаллах inAs n-типа проводимости основан на методе ионной имплантации с последующим отжигом.
|