|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2047931 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/30 | | Аналоги изобретения: | Моро У. Микролитография. М. Мир, 1990, т. 2, с.1081. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | | Изобретатели: | Гришаев Л.А.
Лискин Л.А.
Маркин А.В.
Щербаков Н.А.
Железнов Ф.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, в частности к способу и устройству для удаления позитивного фоторезиста с поверхности полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: целью изобретения является повышение качества удаления фоторезиста за счет полного удаления граничной пленки с рабочей поверхности.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента