|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДИФФУЗАНТ ДЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА A |  |
Номер публикации патента: 2050031 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/225 | | Аналоги изобретения: | 1. G.J.Van Gurp "Zinc diffusion in InGaAsP." GaAs and Related Com nounds", 1987, p.509-512. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Бусыгина Л.А.
Гореленок А.Т.
Каманин А.В.
Мокина И.А.
Юрре Т.А.
Якименко И.Ю.
Шмидт Н.М. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, в частности в производстве полупроводниковых приборов на основе A3B5. Сущность изобретения: диффузант для легирования полупроводников A3B5 содержит в качестве пленкообразующей основы 2-5 об.-ный водный раствор поливинилового спирта и легирующую добавку в количестве 1-10 об.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента