|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P - N - ПЕРЕХОДОВ НА КРИСТАЛЛАХ АНТИМОНИДА ИНДИЯ N - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ |  |
Номер публикации патента: 2056671 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент ФРГ N 2449542, кл. H 01L 21/265, 1975. 2. Патент США N 3217379, кл. 29-572, 1968. 3. Kurwitz C.E., Donnelly J.P. Planar JnSb photodiodes, fabricated by Be and Mg ion implantation. Solid - State Electronics, 1975, vol.18, N 9, p.753-756. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион" | | Изобретатели: | Астахов В.П.
Барбой В.Е.
Карпов В.В.
Мозжорин Ю.Д.
Ермакова И.М.
Овчинников А.С.
Пасеков В.Ф.
Бузуев Ю.И.
Постников И.В.
Коршунов А.Б. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион" |
Реферат | |
Использование: в способах изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов. Сущность изобретения: способ включает имплантацию ионов бериллия, постимплантационный отжиг, защиту и пассивацию поверхности кристалла и металлизацию. Постимплантационный отжиг осуществляют импульсами излучения галогенной лампы, при этом в качестве исходных используют кристаллы с концентрацией легирующей примеси N = 1013 - 1016 см-3.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента